IRFH5210TRPBF

1. Pertes de conduction inférieures
2.Permet une meilleure dissipation thermique
3.Fiabilité accrue
4. Densité de puissance accrue
5. Compatibilité multi-fournisseurs
6. Fabrication plus facile
7. Plus respectueux de l'environnement
8.Fiabilité accrue

Numéro de pièce du fabricant : IRFH9310TRPBF
Fabricant / MarqueInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Partie de la description : MOSFET P-CH 30 V 21 A PQFN
Statut sans plomb/statut RoHS : sans plomb/conforme RoHS.
État du stock : nouvel original, stock de 12 000 pièces disponible.
Expédier de :Hong Kong
Manière d'expédition:DHL/Fedex/TNT/UPS
Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner un attribut
Numéro de pièce IRFH9310TRPBF
Fabricant / Marque Redresseur international (Infineon Technologies)
Quantité en stock 12000 pièces
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Simple
Désignation MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Statut sans plomb/statut RoHS : sans plomb/conforme RoHS
Largeur - Intérieur -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension/Courant - Sortie 1 PQFN (5x6)
Tolérance 5250pF @ 15V
Type de queue P-Canal
MOSFET à angle de pas (oxyde métallique)
Température de rétraction Infineon Technologies
Type SFP/XFP ±20 V
Capacité à distance HEXFET®
Pas - Montage en surface du câble
Autres noms Sans plomb / Conforme RoHS
Autres noms 1
Type d'oscillateur 8-PowerVDFN
Nombre de DAC 30V
Gravité spécifique minimale du liquide -
Orientation d'accouplement 4,6 mOhm à 21 A, 10 V
Référence fabricant IRFH9310TRPBFDKR-ND
Longueur - Canon Digi-Reel®
Couleur de la lampe 4,5 V, 10 V
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Fonction 58nC @ 4.5V
Puissance de la bobine active
Capacité du canal (CS (off), CD (off)) 3,1 W (Ta)
Type de lecteur de carte 2,4 V à 100 µA
Caractéristiques et avantages
Avantages résultants
Faible RDSon (≤ 4,6 mΩ) Faibles pertes de conduction
Compatibilité multifournisseur du package PQFN standard de l'industrie
Conforme RoHS Ne contenant ni plomb, ni bromure ni halogène
résulte en
Note
Quantité de formulaire
IRFH9310TRPBF PQFN Ruban et bobine 5 mm x 6 mm 4000
Numéro de pièce pouvant être commandé Type d'emballage Pack standard
VDS-30V
RDS (activé) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (typique) 110 nC
RG (typique) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Notes maximales absolues
Unités de paramètre
Tension drain-source VDS
Tension porte-source VGS
ID @ TA = 25°C Courant de drain continu, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Courant de drain continu, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Courant de drain continu, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Courant de drain continu, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Courant de drain continu, VGS @ -10V (Package Limited)
Courant de drain pulsé IDM
PD @TA = 25°C Dissipation de puissance
PD @ TA = 70°C Dissipation de puissance
Facteur de déclassement linéaire W/°C
Jonction d'exploitation TJ et
Plage de température de stockage TSTG
Note répétitive ;largeur d'impulsion limitée par max.température de jonction.
Démarrage TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Largeur d'impulsion ≤ 400µs ;rapport cyclique ≤ 2%.
Lorsqu'il est monté sur une plaque de cuivre carrée de 1 pouce.
Rθ est mesuré à TJ d'environ 90°C.
Pour l'AIDE À LA CONCEPTION UNIQUEMENT, non soumis aux tests de production.